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微弧氧化工藝過程分析
發布時間:2022-09-03 14:09:54| 瀏覽次數:

  微弧氧化是慢慢從普通陽極氧化發展而來的,它突破了傳統陽極氧化對電流和電壓的限制,從幾十伏的電壓提升到了幾百伏,達到臨界值時突破閥金屬表面形成的氧化膜(絕緣膜),產生微弧放電,形成放電通道,在放電通道中瞬間形成高溫高壓,伴隨著復雜的物理化學過程。在微弧氧化過程中,化學氧化、電化學氧化、等離子體氧化同時存在,陶瓷層的形成過程非常復雜,沒有合理的模型能充分描述陶瓷層的形成。

  微弧氧化工藝是指將工作區域從普通陽極氧化的法拉第區域引入高壓放電區域,克服硬陽極氧化的缺陷,大大提高膜的綜合性能。微弧氧化膜與基體結合牢固,耐磨、耐腐蝕、耐高溫沖擊、電絕緣性好。該技術操作簡單,易于實現膜功能調節,工藝不復雜,不造成環境污染,是一種新型的綠色環保材料表面處理技術,在許多領域具有廣闊的應用前景。

  在微弧氧化過程中,將工件放入電解槽中,工件表面現象和膜層生長過程具有明顯的階段性。微弧氧化過程可分為四個階段。在微弧氧化的早期階段,金屬光澤逐漸消失,材料表面產生氣泡,在工件表面產生一層薄而多孔的絕緣氧化膜,絕緣膜的存在是形成微弧氧化的必要條件。此時,電壓和電流遵循法拉第定律,這是第yi階段-陽極氧化階段;隨著電壓和膜層的增加,鈦合金表面的火花逐漸增大,移動速度相對減慢,膜層迅速生長,這是第三階段-微弧放電階段;隨著氧化時間的延長,氧化膜達到一定厚度,膜層越來越難穿透,開始出現少數較大的紅斑點,這些斑點不再大,應盡量停止在一定的固定位置。從火花放電階段開始,電解質中的元素開始進入人體膜層,并與基體元素反應產生新的化合物,從而提高膜層的性能。在微弧放電階段,氧化膜的突破總是發生在膜相對較弱的部分。突破后,該部分形成新的氧化膜,因此突破點轉移到下一個相對較弱的部分。因此,形成的氧化膜(陶瓷膜)是均勻的。(內容僅供參考,有問題或遇到問題請在線或來電咨詢,我們會竭誠為您服務)



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